Статус продукта Активен
Полевой транзистор N-канального типа
Технология MOSFET (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 250 В
Постоянный ток стока (Id) при 25 ° C 24A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds включено, мин. Rds включено) 10 В
Rds включено (макс.) при Id, Vgs 67 Мом при 24А, 10 В
Напряжение тока (th) (макс.) при Id 4 В при 90 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при напряжении тока 30 нЦ при 10 В
Напряжение тока (макс.) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) при Vds 2410 пФ при 125 В
Функция полевого транзистора -
Рассеиваемая мощность (Макс.) 150 Вт (Tc)
Рабочая температура -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Тип монтажа Поверхностное крепление
Комплект поставки устройства поставщика PG-TDSON-8-1
Упаковка/Кейс 8-PowerTDFN
Базовый номер товара BSC670
Написать свой отзыв
- Зарегистрированный пользователь -